二次电子（secondary electron SE）

二次电子的产生是由于高能入射电子与样品原子核外电子的相互作用， 电离核外的电子，特别是外层电子与核的结合力较弱，被大量电离形成自由电子。 如果这个过程发生在样品表面，只要克服材料的功函数，自由电子就可以离开样品并成为二次电子。 对于金属，价电子的结合能很小，约为10eV，其电离概率远大于内层电子。 当样品吸收一个高能电子时，可以产生多个二次电子。 大多数二次电子是价电子。 入射电子也会在样品深处产生二次电子，但由于二次电子能量低，无法发射。 出射二次电子仅限于样品表层，其范围相当于入射电子束的直径，采样深度经计算小于10nm。 因此，二次电子成像具有较高的分辨率，能够完整反映样品的表面形貌。

背散射电子（backscattered electron BSE）

电子束一般要穿透样品一定深度后，才能经过充分的散射过程，使行进方向反转而 引起背向散射，因此样品发射的背向散射电子携带了样品一定深度范围的性质信息，而采样深度很大程度上取决于样品本身的性质，而这个深度值不能用一个单一的数字给出。 因此，发射的 BSE 数量高度依赖于电子束撞击点样品的平均原子序数。 因此，随着原子序数的增加，更多的电子被反向散射。 从样品表面反向散射的电子也激发二次电子作为 SE2 电子。 BSE 给出图像中的深度信息和原子序数对比。

特征X射线X射线

当高能电子进入样品时，被样品原子发生非弹性散射，并将能量传递给原子电子 其中一个内壳层被电​​离并与原子分离，内壳层出现空位，原子处于不稳定的高能​​激发态。 原子在激发后10-12S内回到能量最低的基态。 在这个过程中，一连串的外层电子跃迁到内层空位，同时产生特征X射线和俄歇电子，释放出多余的能量。 特征X射线具有足够的能量从样品的深部发出，其产生范围包括相互作用区的最外层。 对于具有中等或更高原子序数的样品，如金属或陶瓷，范围约为几微米。 特征X射线携带样品的化学成分信息。

低压成像技术

扫描电镜通常使用10KV~30KV的加速电压，可以获得高质量的图像； 微区成分分析还可以提供可靠的定性和定量结果。 但对于一些热敏性或导电性差的样品，如：半导体及器件、合成纤维、溅射或氧化薄膜、纸张、动植物组织、高分子材料等，有时不允许进行导电处理，直接观察 是必须的。 . 可选择低压成像技术，可选择1~5KV或更低的加速电压进行成像。

低真空成像技术

对于一些导电性能较差的材料，如半导体、集成电路、印制板、电脑零件、纸张、纤维或含水的动植物样品 ，需要直接观察微观形貌，使用传统的高真空（High vacuum，HV）成像受到限制。 应采用VP（Variable pressure，可变压力模式）或EP（Extend pressure，扩展压力模式）成像技术。

VP或EP模式可直接观察非导电材料或动植物样品。 由于样品室的真空度不是太高，仍然存在大量的气体分子，入射电子和信号电子将样品附近的气体分子如O、N电离，这些离子向着 样品在附加电场的作用下，中和了表面积累的电子，消除了带电现象，在较高的加速电压下仍能正常工作。 此外，制样简单，适用于观察脱气样品，适用于非导电样品的直接成分检测。

检测器应使用BSD或VPSE检测器。